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内容简介:
《半导体器件原理》不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性,还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源/漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念,不仅有理论基础知识的阐述,还有新近研究成果的介绍。
《半导体器件原理》可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材,也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。
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书籍介绍
《半导体器件原理》不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性,还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源/漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念,不仅有理论基础知识的阐述,还有新近研究成果的介绍。
《半导体器件原理》可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材,也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。
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书籍多样性:4分
书籍信息完全性:3分
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书籍清晰度:9分
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书籍真实打分
故事情节:4分
人物塑造:4分
主题深度:5分
文字风格:9分
语言运用:3分
文笔流畅:3分
思想传递:8分
知识深度:4分
知识广度:5分
实用性:4分
章节划分:9分
结构布局:7分
新颖与独特:3分
情感共鸣:5分
引人入胜:9分
现实相关:7分
沉浸感:3分
事实准确性:6分
文化贡献:4分